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<H1>www.duv24.net : Optimierte MOSFETs</H1>
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<TD VALIGN=TOP CLASS=detailBereichRedaktion>Bereich >
Redaktion
> <B><FONT color="#CC3300">Nachrichten</FONT></B></TD>
<TD ALIGN=right VALIGN=bottom CLASS=detailDatum>07.05.2004</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailFirma ID=topSpace>International Rectifier Ltd.:</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailTitel>Optimierte MOSFETs</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailContent>International Rectifier hat die Mosfet-Familie DirectFET um drei neue Bausteine erweitert. Die 20-V-N-Kanal-Bausteine IRF6623, IRF6620 und IRF6609 sind für VRM-10-Stromversorgungssysteme und Hochfrequenz-Hochstrom-DC-DC-Wandler optimiert. Derartige Wandler zielen auf Prozessoren der nächsten Generation in Desktop-Computern und Servern der Spitzenklasse sowie auf fortschrittliche Telekommunikations- und Datenkommunikationssysteme. Die “Metallgehäuse"-Konstruktion des DirectFET-Gehäuses senkt den chip-freien Gehäusewiderstand und ermöglicht doppelseitige Kühlung.</TD>
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<P><I>Diese Seite wurde am 25.09.2004, 13:14 Uhr aktualisiert</I></P>
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