| Seine Bipolar-Transistoren mit niedriger Sättigung und Mosfets mit niedrigem On-Widerstand bietet Zetex in oberflächenmontierbaren DPAK-Gehäusen an. Insgesamt drei Mosfets und sechs bipolare Elemente profitieren von dem niedrigen thermischen Widerstand dieses Gehäusetyps, das mit 10 W spezifiziert ist. N-Kanal-Mosfets mit Nennspannungen von 30, 60 und 100 V sind im DPAK-Gehäuse erhältlich, wobei deren ON-Widerstände lediglich 20, 45 bzw. 85 mOhm betragen. Bipolare NPN-Transistoren werden mit Nennspannungen von 30, 45 und 75 V angeboten. Die komplementären PNP-Transistoren im DPAK haben Nennspannungen von 40, 60 und 100 V. Der 30-V-Transistor ZXT849K hat beispielsweise nur eine Sättigungsspannung von UCE(sat) 80mV bei 1 A Laststrom. Die Kollektor-Dauerströme sind bis zu 7 A spezifiziert und zeigen selbst bei Strompulsen von 20 A noch eine Verstärkung. |
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