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| Die typische Anschlusskapazität beträgt für die 5,6-V-Bauteile 8,0 pF und fällt für die 6,2-V-Bauteile auf 6,5 pF. |
Mehrere Zener-Dioden in 5,6- und 6,2-V-Versionen von Toshiba sind in einem Ultra-Miniaturgehäuse zusammen integriert. Durch die niedrige Anschlusskapazität eignen sich die Bauteile zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen und Überspannungen in Anwendungen mit hoher Datenübertragungsrate. Durch die Verwendung der Dioden DFxA5.6Lxx und DFxA6.2Lxx lassen sich periphere Anschlüsse und Dataports mit Datenraten im Megabitbereich in tragbaren Geräten und anderen Anwendungen gegen Überspannungsschäden schützen. Verschiedene Varianten mit entweder zwei, vier oder sieben integrierten Dioden, tragen dazu bei, die Bauteilanzahl zu reduzieren und die Montage zu vereinfachen. Alle Bauteile bieten eine ESD-Festigkeit von mindestens 18 kV. |
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