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<H1>www.duv24.net : Speicherzellentechnologie</H1>
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<TD VALIGN=TOP CLASS=detailBereichRedaktion>Bereich >
Redaktion
> <B><FONT color="#CC3300">Nachrichten</FONT></B></TD>
<TD ALIGN=right VALIGN=bottom CLASS=detailDatum>12.03.2004</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailFirma ID=topSpace>Hitachi Europe GmbH:</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailTitel>Speicherzellentechnologie</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailContent>Die Basic-Flash-Speicherzellentechnologie von Hitachi und Renesas erreicht auf einer Zellfläche von 0,016 µm2 auf einer 1-bit-Basis eine Programmiergeschwindigkeit von 10 MB/s. Diese Technologie verbessert die Source-Drain-Struktur von Assist-Gate-AND-Flash-Speicherzellen, bietet Multi-Level-Zelltechnologie und Highspeed. Vor diesem Hintergrund arbeiteten die beiden Unternehmen an der Entwicklung einer Basistechnologie für Second-Generation des Assist-Gate-AND Flash-Speicher zusammen, welche Highspeed-Writing und einen Feinprozess bietet. Die Source und Drain eines Speicherzellentransistors sind als ein Umkehrfeld geformt, welches im Silikonsubstrat auftritt, wenn eine Spannung an den Assist Gate angelegt wird, anstatt der konventionellen Diffusionsschicht. Durch die Nutzung von Multi-Level-Technologien konnte eine maximale Programmiergeschwindigkeit von 10 MB/s erreicht werden.</TD>
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<P><I>Diese Seite wurde am 25.09.2004, 13:13 Uhr aktualisiert</I></P>
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