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<H1>www.duv24.net : Transistortechnologie</H1>
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Redaktion
> <B><FONT color="#CC3300">Nachrichten</FONT></B></TD>
<TD ALIGN=right VALIGN=bottom CLASS=detailDatum>17.02.2004</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailFirma ID=topSpace>Intel GmbH:</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailTitel>Transistortechnologie</TD>
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<TD VALIGN=top CLASS=detailContent>Die Forscher von Intel fanden neue Materialien für das Gate-Dielektrikum und Transistor-Gate in Hochleistungstransistoren. Das Gate ist der Teil, der bestimmt, ob der Transistor ein- oder ausgeschaltet ist und hier soll der Metallstoff zum Einsatz kommen. Das Gate-Dielektrikum befindet sich als dünner Isolator unterhalb des Gates und wird nun aus High-k-Material hergestellt. Die Materialien tragen gemeinsam zur Reduzierung von Leckströmen bei. Diese wirken sich negativ auf die Wärmeentwicklung von Prozessoren und die Batterielebensdauer von Geräten aus. Im Vergleich zu Siliziumdioxid, konnten die Leckströme um mehr als den Faktor 100 reduziert werden.</TD>
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<P><I>Diese Seite wurde am 25.09.2004, 13:13 Uhr aktualisiert</I></P>
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