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Der N-Kanal-Mosfet STD150NH02L von ST Microelectronics ist für den Einsatz in DC/DC-Wandlern mit hohem Ausgangsstrom geeignet. Der Baustein unterstützt eine Drain-Source-Spannung VDS von 24 V und einen maximalen Drainstrom ID von 150 A. Bei diesen Werten beträgt der RDS (on) 0,0035 _. Bei 10 V beträgt der typische RDS (on) 0,003 _, bei 5 V dagegen 0,005 _. Das Design des Moduls basiert auf der Strip-FET-Technologie des Herstellers. Kennzeichnend für diesen proprietären 0,6-µm-Prozess sind spezielle Metallisierungsverfahren und eine ohne Bondung auskommende Montagetechnik, die in Verbindung mit einem konventionellen DPAK-Gehäuse für die Leistungsfähigkeit sorgen. |
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