| In den Forschungslaboren von Infineon wurden verschiedene organische Materialien analysiert und ein breites Spektrum von Prozessen entwickelt. Diese können zukünftig bei der Fertigung qualitativ-hochwertiger Silizium-basierter DRAMs und anderer Speicher wie auch zur Herstellung organischer Transistoren und Schaltungen genutzt werden. Die realisierten Dünnschichttransistoren (TFTs) bestehen aus organischen Halbleitermolekülen als aktive Schicht und zeichnen sich durch eine Ladungsträgermobilität von über 1 cm?/Vs aus. Wie ihr Silizium-Pendant bestehen auch diese organischen Transistoren aus folgenden Schichten: Substrat, Gate-Elektrode, -Isolator, Source- und Drain-Anschluss, organischen Halbleitern sowie einer Passivierungs-Schutzschicht. |
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