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11.09.2002 |
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| STMicroelectronics: |
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| M. Aleo: "IGBT-Grundlagen II" |
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| Teil 2: Dynamische Kenndaten und Betriebsverhalten |
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| Auswirkung von Rg auf dV/dt |
IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) verbinden die einfache Ansteuerung und hohe Schaltgeschwindigkeit einer MOSFET-Struktur mit der für bipolare Bauelemente kennzeichnenden Eignung für hohe Stromstärken.Auch hinsichtlich des Spannungsabfalls sind IGBTs vorteilhaft. Die Anfang der 1980er Jahre entwickelte IGBT-Technologie hat es in Applikationen mit Spannungen über 400 V und Schaltfrequenzen bis 130 kHz rasch zu großer Verbreitung gebracht. Vollbeitrag als PDF |
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